Akcje BE Semiconductor (BESI) spadły o ok. 16% po doniesieniach koreańskiej prasy, iż duże firmy z branży pamięci mają podobno dyskutować nad poluzowaniem standardów grubości dla kolejnej generacji pamięci HBM, która w przyszłości ma wykorzystywać 20-warstwowe stosy pamięci. Według doniesień realizowane są rozmowy nad zwiększeniem dopuszczalnej grubości HBM4 (szóstej generacji HBM), której komercjalizacja spodziewana pozostało w tym roku, do poziomu 825–900 mikrometrów. Oznaczałoby to przekroczenie obecnego limitu 775 mikrometrów, jaki zakładano dla tej generacji pamięci.
Dlaczego to ważne? Otóż jeżeli pamięci HBM będą mogły być fizycznie grubsze, producenci mogą dłużej pozostać przy obecnej technologii łączenia chipów, czyli thermocompression bonding (TCB) – zamiast szybciej przechodzić na bardziej zaawansowany hybrid bonding. Innymi słowy, pojawiło się ryzyko, które w kontekście BESI jest bardzo istotne, czyli potencjalne opóźnienie adopcji nowej technologii hybrid bonding w HBM.
Czy to game changer? Przyjrzyjmy się bliżej.
Czytaj wszystkie treści BEZ OGRANICZEŃ!
Premium

Dołącz do Strefy Premium DNA.
Już od 75 zł miesięcznie!
Sprawdź wszystkie korzyści
Kliknij tutaj i dołącz do nas.
Jesteś już subskrybentem? Zaloguj się!
Do zarobienia!
Jurek Tomaszewski
Każda o wartości do 800 USD!
0% prowizji do 100 000 EUR obrotu miesięcznie.
Otwórz konto i zgarnij 250 EUR premii.

10 godzin temu






