Infineon przedstawia najcieńszy na świecie krzemowy wafel zasilający

cyberfeed.pl 2 miesięcy temu


Po ogłoszeniu ogłoszenia pierwszej na świecie 300-milimetrowej płytki mocy z azotku galu (GaN) i otwarciu największej na świecie 200-milimetrowej fabryki mocy z węglika krzemu (SiC) w Kulim w Malezji, firma Infineon Technologies AG odsłoniła kolejny kamień milowy w technologii produkcji półprzewodników. Firma Infineon osiągnęła przełom w obsłudze i przetwarzaniu najcieńszych krzemowych płytek mocy, jakie kiedykolwiek wyprodukowano, o grubości zaledwie 20 mikrometrów i średnicy 300 milimetrów, w wielkoskalowej fabryce półprzewodników. Ultracienkie płytki krzemowe mają tylko jedną czwartą grubości ludzkiego włosa i połowę grubości najnowocześniejszych płytek krzemowych o grubości 40–60 mikrometrów.

„Najcieńszy na świecie wafel krzemowy jest dowodem naszego zaangażowania w zapewnianie klientom wyjątkowej wartości poprzez przesuwanie technicznych granic technologii półprzewodników mocy” – powiedział Jochen Hanebeck, dyrektor generalny Infineon Technologies. „Przełom firmy Infineon w technologii ultracienkich płytek stanowi znaczący krok naprzód w zakresie energooszczędnych rozwiązań energetycznych i pomaga nam wykorzystać pełny potencjał światowych trendów dekarbonizacji i cyfryzacji. Dzięki temu technologicznemu arcydziełu umacniamy naszą pozycję lidera innowacji w branży poprzez opanowanie wszystkich trzech odpowiednich materiałów półprzewodnikowych: Si, SiC i GaN.”

Ta innowacja znacząco pomoże zwiększyć efektywność energetyczną, gęstość mocy i niezawodność rozwiązań konwersji mocy do zastosowań w centrach danych AI, a także w zastosowaniach konsumenckich, sterowania silnikami i obliczeniach. Zmniejszenie o połowę grubości płytki zmniejsza oporność podłoża płytki o 50 procent, redukując straty mocy w systemach zasilania o ponad 15 procent w porównaniu z rozwiązaniami opartymi na konwencjonalnych płytkach krzemowych. W przypadku zaawansowanych zastosowań serwerów AI, gdzie rosnące zapotrzebowanie na energię wynika z wyższych poziomów prądu, jest to szczególnie ważne przy konwersji mocy: w tym przypadku napięcia muszą zostać obniżone z 230 V do napięcia procesora poniżej 1,8 V. Technologia ultracienkich płytek zwiększa konstrukcję pionowego dostarczania mocy, opartą na technologii pionowego wykopu MOSFET i umożliwia bardzo bliskie połączenie z procesorem chipowym AI, zmniejszając w ten sposób straty mocy i zwiększając ogólną wydajność.

„Nowa technologia ultracienkich płytek napędza naszą ambicję zasilania różnych konfiguracji serwerów AI, od sieci po rdzeń, w najbardziej energooszczędny sposób” – powiedział Adam White, prezes działu Power & Sensor Systems w firmie Infineon. „W miarę znacznego wzrostu zapotrzebowania na energię w centrach danych AI, efektywność energetyczna zyskuje coraz większe znaczenie. Dla firmy Infineon jest to gwałtownie rosnąca szansa biznesowa. Oczekujemy, iż przy średniodwucyfrowym tempie wzrostu nasz dział AI osiągnie miliard euro w ciągu najbliższych dwóch lat.”

Aby pokonać przeszkody techniczne związane ze zmniejszeniem grubości płytki do rzędu 20 mikrometrów, inżynierowie firmy Infineon musieli opracować innowacyjne i unikalne podejście do szlifowania płytek, ponieważ metalowy stos utrzymujący chip na płytce jest grubszy niż 20 mikrometrów. Ma to znaczący wpływ na obsługę i obróbkę spodniej strony cienkiego wafla. Ponadto wyzwania techniczne i produkcyjne, takie jak wyginanie płytek i oddzielanie płytek, mają duży wpływ na procesy montażu zaplecza, zapewniając stabilność i pierwszorzędną wytrzymałość płytek. Proces wytwarzania cienkich płytek o grubości 20 mikrometrów opiera się na istniejącej wiedzy specjalistycznej firmy Infineon w zakresie produkcji i zapewnia, iż ​​nową technologię można bezproblemowo zintegrować z istniejącymi liniami produkcyjnymi Si na dużą skalę bez powodowania dodatkowej złożoności produkcji, gwarantując w ten sposób najwyższą możliwą wydajność i bezpieczeństwo dostaw.

Technologia została zakwalifikowana i zastosowana w zintegrowanych inteligentnych stopniach mocy (przetwornicy DC-DC) firmy Infineon, które zostały już dostarczone do pierwszych klientów. Podkreśla to wiodącą pozycję firmy w zakresie innowacji w produkcji półprzewodników, jako posiadacza szerokiego portfela patentów związanych z technologią płytek 20-mikrometrowych. Wraz z obecnym rozwojem technologii ultracienkich płytek Infineon spodziewa się zastąpienia istniejącej konwencjonalnej technologii płytek w przetwornicach mocy niskiego napięcia w ciągu najbliższych trzech do czterech lat. Ten przełom wzmacnia wyjątkową pozycję Infineon na rynku dzięki najszerszemu portfolio produktów i technologii, w tym urządzeniom na bazie krzemu, węglika krzemu i azotku galu, które są kluczowymi czynnikami umożliwiającymi dekarbonizację i cyfryzację.

Infineon zaprezentuje publicznie pierwszą ultracienką płytkę krzemową na targach Electronica 2024 w dniach 12–15 listopada w Monachium (hala C3, stoisko 502).



Source link

Idź do oryginalnego materiału