Japonia Nikkan Kogyo Shimbun Gazeta uważa, iż Rapidus zainstaluje w sumie dziesięć „Extreme Ultraviolet (EUV) narzędzi ekspozycyjnych” w dwóch najnowocześniejszych miejscach produkcji półprzewodników. Dotacje rządowe Pomagali w zwiększeniu japońskiego przemysłu półprzewodników do nowych wzlotów – podobno nadrabia zaległości w TSMC. Jego węzeł procesowy 2 NM klasy może być uruchomiony do 2027 r., W w tej chwili innowacyjnej integracji innowacyjnej dla produkcji (IIM-1). Ta lokalizacja z zadowoleniem przyjęła swoją pierwszą maszynę litograficzną ASML NXE: 3800E EUV w grudniu ubiegłego roku– Ta okazja oznaczała Debiut wdrożenia wspomnianej technologii w Japonii.
Raport Nikkan Kogyo Shimbun przytacza oświadczenia złożone przez CEO Rapidusa, Atsuyoshi Koike-zgodnie z szefem, dziesięć nowych maszyn będzie dystrybuowanych w dwóch zakładach produkcyjnych: na wyżej wymienionych IIM-1, a także IIM-2. Druga lokalizacja ma pojawić się online niedługo po zakończeniu IIM-1. Nie jest jasne, czy odlewnie będą instalować więcej przykładów modelu NXE: 3800E ASML, a dokładne ramy czasowe nie zostały ujawnione. Starszy artykuł Nikkei sugeruje, iż proces próbny-wykorzystujący technologię 2 nm generacji (GAA)-rozpocznie się około kwietnia (2025 r.) Na podstawowym Rapidus Fab. Teoretyzowany harmonogram sugeruje, iż początkowe próbki są przeznaczone do wysyłki do Broadcom (w USA) do połowy roku.
