Przełom w integracji materiałów 2D dla elastycznych układów elektronicznych

Chińscy naukowcy z Westlake University opracowali nową metodę integracji półprzewodników 2D, która może przyspieszyć rozwój elastycznej elektroniki nowej generacji. Zespół kierowany przez profesora Kong Wei zaprezentował technologię bezkolizyjnego przenoszenia monokrystalicznych warstw dwusiarczku molibdenu (MoS₂) na elastyczne podłoża w skali całej płytki półprzewodnikowej. Wyniki badań opublikowano w Nature Electronics.