Przełom w technologii tlenku galu. Nowy tranzystor MOSFET przekroczył barierę 1 A

Chińska firma Jiachi Power Technology opracowała pionowy tranzystor MOSFET z tlenku galu, który osiągnął prąd przewodzenia 1,2 A oraz napięcie przebicia przekraczające 900 V. Według producenta jest to pierwsze na świecie urządzenie tego typu, które przekroczyło barierę 1 A.